Los nuevos sistemas de comunicaciones inalámbricas demandan técnicas eficaces de caracterización y diseño en régimen no-lineal. Los requisitos de los amplificadores de potencia y de alta eficiencia, o los nuevos dispositivos de estado sólido capaces de proporcionar tales prestaciones, han dado lugar a un repunte de la investigación en el ámbito de los modelos de dispositivos y de las técnicas de extracción de los mismos. A ello ha contribuido también la mejora en la instrumentación que permite caracterizar, en régimen de gran señal, dispositivos y subsistemas. Con ello es posible utilizar condiciones próximas a las de funcionamiento durante el proceso previo de caracterización y modelado de los componentes del sistema que se está diseñando. El reto es aún mayor si se tiene en cuenta la migración de los sistemas de comunicaciones móviles a bandas de frecuencias muy superiores a los de hoy en día (sistemas 5G)

En este Trabajo se aborda el problema de la simulación de dispositivos activos (diodos y transistores) utilizando modelos válidos en régimen no-lineal (gran señal) y a frecuencias útiles en los nuevos sistemas de comunicaciones. Se utilizarán técnicas experimentales basadas en la instrumentación del laboratorio de microondas y simuladores del tipo NI-AWR.